Seminarium Fizyki Materii Skondensowanej

Obserwacje STM przeprowadzone niezależnie w różnych ośrodkach badawczych wykazują, że C-defekty występujące na powierzchni Si(001) zachowują się jak centra agregacji dla atomów metalicznego adsorbatu dyfundujących po tej powierzchni. Pomiary wykonane w temperaturze pokojowej pokazały, że dyfundujące atomy wykazują wyraźną tendencję do formowania stabilnych łańcuchów atomowych zorientowanych prostopadle do rzędów powierzchniowych dimerów i zaczepionych jednym z końców na C-defekcie. Np. na obrazach STM uzyskanych w temperaturze pokojowej adatomy In widoczne są wyłącznie w formie takich łańcuchowych struktur zaczepionych do C-defektów - z uwagi na dużą ruchliwość atomów adsorbatu obrazy STM nie rejestrują ich obecności w innych punktach krzemowego podłoża. Wynik ten sugeruje, że C-defekty znacznie zwiększają lokalną reaktywność Si(001) stabilizując położenie adatomów dyfundujących po tym podłożu. W ramach referatu omówione zostaną prace doświadczalne dotyczące tego zagadnienia jak również przedstawione będą wyniki obliczeń strukturalnych typu ab-initio odnoszących się do układów adsorpcyjnych formujących się w obecności C-defektów. Celem tych obliczeń jest określenie własności atomowych i elektronowych C-defektów oraz wyjaśnienie mechanizmu odpowiedzialnego za ich silną reaktywność oraz proces formowania przez metaliczne adsorbaty jednowymiarowych struktur związanych z tymi defektami.