Seminarium Fizyki Materii Skondensowanej

Bardzo szybko rozwijająca się w ostatnich latach nowa dziedzina wiedzy, jaką jest spintronika, jest jedną z głównych przyczyn gwałtownego rozwoju badań nad nowymi materiałami mającymi umożliwić nowatorskie wykorzystanie elektrycznych i magnetycznych stopni swobody do magazynowania i przetwarzania informacji. Jedną z metod poznawczych właściwości tych materiałów jest wykonywanie obliczeń przy użyciu Teorii Funkcjonału Gęstości. W trakcie seminarium przedstawione zostaną właściwości strukturalne, magnetyczne i elektronowe półprzewodników GaAs i GaN domieszkowanych jonami magnetycznymi Mn, Fe i Cr. Dla tych związków badałem zachowanie się jonów magnetycznych (ich zdolność do tworzenia agregatów) zarówno w objętości jak i na powierzchni. Przebadany został również wpływ jednoczesnego domieszkowania atomami niemagnetycznymi (Si, Mg) i jonami metali przejściowymi na własności wspomnianych półprzewodników. Głównym celem moich badań było poznanie mechanizmu tworzenia się agregatów jonów magnetycznych w półprzewodniku, tak aby móc zablokować (lub sterować) ich powstawanie w trakcie otrzymywania tych materiałów. Nadrzędnym celem tych badań jest pogłębienie wiedzy na temat mechanizmu oddziaływania jonów magnetycznych w półprzewodniku magnetycznym, jako potencjalnego materiału ferromagnetycznego z temperaturą Curie powyżej temperatury pokojowej.