Seminarium Fizyki Ciała Stałego
sala 0.06, ul. Pasteura 5
2016-01-15 (10:15) 
mgr inż. Andrzej Taube (Instytut Technologii Elektronowej, Zakład Mikro i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych)
Konstrukcja i technologia tranzystorów polowych HEMT AlGaN/GaN dla radiolokacji i elektroniki wysokich nap
W ramach seminarium omówione zostaną podstawowe właściwości materiałów i heterostruktur III-N istotne z punktu widzenia zastosowań w przyrządach półprzewodnikowych przeznaczonych dla radiolokacji i elektroniki wysokich napięć. Przedstawiona zostanie konstrukcja i technologia tranzystorów polowych HEMT na bazie heterostruktur AlGaN/GaN dla tych obu aplikacji. Szczególny nacisk zostanie położony na powiązanie parametrów materiałowych i parametrów konstrukcyjnych przyrządu z parametrami użytkowymi tranzystorów HEMT. Zaprezentowane zostaną wyniki prac nad tranzystorami HEMT AlGaN/GaN prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej we współpracy z innymi ośrodkami zajmującymi się tematyką azotkową w ramach projektu PBS NCBiR Pol-HEMT i programu Ventures FNP PowerHEMT (Ammono S.A., IWC PAN, ToPGaN sp. z.o.o., Politechnika Warszawska).