Seminarium Fizyki Ciała Stałego
sala 0.06, ul. Pasteura 5
2016-10-14 (10:15) 
dr hab. inż. Michał Boćkowski, prof. IWC PAN (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Wzrost objętościowych kryształów azotku galu
Podczas wykładu omówione i porównane zostaną trzy podstawowe metody krystalizacji objętościowego azotku galu (GaN): wzrost z fazy gazowej - Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), krystalizacja z roztworu gal-sód (tzw. metoda sodowa) oraz wzrost w nadkrytycznym amoniaku (metoda amonotermalna). Przedstawione zostaną wady i zalety omawianych metod oraz podstawowe własności otrzymywanego materiału. Wydaje się, że synergia zalet trzech prezentowanych metod stwarza nowe, atrakcyjne możliwości wydajnej produkcji objętościowych kryształów GaN. Zostanie to pokazane na przykładzie krystalizacji HVPE na zarodziach otrzymywanych metodą amonotermalną.