Seminarium Fizyki Ciała Stałego
sala 0.06, ul. Pasteura 5
2016-10-21 (10:15) 
dr Paweł Michałowski (Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych)
Podstawy oraz możliwości Spektroskopii Mas Jonów Wtórnych (SIMS)
Spektroskopia Mas Jonów Wtórnych (Secondary Ion Mass Spectroscopy – SIMS) jest destrukcyjną metodą badania polegającą na trawieniu powierzchni próbki poprzez bombardowanie wiązką jonów pierwotnych,a następnie przeprowadzając analizę masową zjonizowanej materii uzyskuje się informację dotyczące składu pierwiastkowego badanej próbki.Wraz z odtrawianiem kolejnych warstw materiału uzyskuje się informacje dotyczącą zmiany kompozycji próbki funkcji głębokości (tzw. profil wgłębny).Jest to bardzo czuła metoda, pozwalająca na wykrywanie większości zanieczyszczeń i domieszek o koncentracji rzędu 10^15 at/cm^3 (w niektórych przypadkach nawet 10^12 at/cm^3).Dzięki niej można określać poziomy domieszek, oceniać stabilność warstw, wyznaczać parametry dyfuzji oraz opisywać inne zjawiska zachodzące podczas wytwarzania i obróbki próbek.