Seminarium Fizyki Ciała Stałego
sala 0.06, ul. Pasteura 5
2017-12-01 (10:15) 
dr inż. Robert Czernecki (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Wpływ wodoru na wzrost i własności warstw i struktur InGaN/GaN osadzanych metodą MOVPE
W krótkim wstępie przedstawione zostaną podstawy wzrostu metodą MOVPE, ze szczególnym uwzględnieniem specyfiki wzrostu warstw zawierających ind. Opisany będzie najbardziej pożądany mod wzrostu cienkich warstw epitaksjalnych poprzez płynięcie stopni (ang. step-flow). W zasadniczej części seminarium przedstawiony będzie wpływ wodoru obecnego w gazie nośnym na własności zarówno objętościowych warstw InGaN (o grubości ok. 20-40 nm.), jak i cienkich warstw studni (o grubości 2-4 nm.) i barier kwantowych. W przypadku struktur kwantowych wodór może być użyty jedynie podczas wzrostu barier, ale pokazany zostanie również jego wpływ na własności samych studni kwantowych. Na zakończenie przedstawione zostaną najnowsze wyniki uzyskane dla warstw InGaN osadzanych z bardzo małą prędkością wzrostu.