Seminarium Fizyki Ciała Stałego
sala 0.06, ul. Pasteura 5
2017-12-22 (10:15) 
dr inż. Grzegorz Muzioł (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Długożyciowe azotkowe diody laserowe wytwarzane metodą epitaksji z wiązek molekularnych. Czy MBE ma szanse w walce z MOVPE?
Zdecydowana większość dostępnych na rynku przyrządów optoelektronicznych na bazie azotku galu wytwarzana jest metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych (MOVPE). Podczas seminarium przedstawione zostaną wady i zalety metody konkurencyjnej – epitaksji z wiązek molekularnych ze źródłem plazmy (PAMBE). Duże różnice w warunkach wzrostu pomiędzy tymi technikami powodują, iż uzyskiwany materiał posiada znaczące różnice, wpływające na prace przyrządów budowanych na jego bazie. Omówionych zostanie kilka kluczowych aspektów wpływających na potencjalne zastosowanie techniki PAMBE. Zaprezentowana zostanie sprawność kwantowa studni InGaN, będących sercem każdego przyrządu optoelektronicznego. Przedstawione zostaną badania strukturalne oraz testy niezawodnościowe diod laserowych. Na skutek poprawy jakości epitaksji PAMBE udało się uzyskać czasy życia przyrządów sięgające 100 000 godzin. Dodatkowo, brak obecności wodoru podczas wzrostu PAMBE umożliwia wykonanie wydajnych złącz tunelowych. To z kolei pozwala na projektowanie przyrządów niedostępnych dla techniki MOVPE. Jako przykład zaprezentowana zostanie dioda laserowa z rozłożonych sprzężeniem zwrotnym (DFB) wykonana techniką PAMBE.