Seminarium Fizyki Ciała Stałego
sala 0.06, ul. Pasteura 5
2018-04-20 (10:15) 
mgr Ewa Grzanka (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Homogenizacja i rozkład studni kwantowych InGaN/GaN w wysokich temperaturach podczas wzrostu warstw typu p
Homogenizacja i rozkład studni kwantowych InGaN/GaN w wysokich temperaturach podczas wzrostu warstw typu p.
E.Grzanka1,2, J. Smalc-Koziorowska1,2, Sz. Grzanka1,2, L.Marona1,2, R.Czernecki1,2,
G.Staszczak1 , A.Lachowski1,3*, S.Kret4, M.Grabowski1, T.Suski1, P.Perlin1,2,
M.Leszczynski1,2
1 Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Polska
2 TopGaN Ltd., Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Polska
3 Wydział Inżynierii Materiałowej PW, Wołoska 141, 02-507 Warszawa, Polska
4 Instytut Fizyki PAN, Al.Lotników 29/37, 02-668 Warszawa, Polska
Studnie kwantowe InGaN/GaN stanowią część aktywną struktur laserowych (LD) i diod elektroluminescencyjnych (LED) emitujących światło w zakresie od ultrafioletu do zielonego. Tematem naszych badań jest ustalenie wpływu wysokiej temperatury wzrostu warstw typu p na zmianę rozkładu In w studniach kwantowych InGaN/GaN czyli na homogenizację tychże studni tuż przed ich rozkładem oraz sam proces rozkładu.Wykorzystane przez nas struktury hodowano metodą MOCVD.W czasie seminarium przedstawione zostaną wyniki pomiarów elektroluminescencji-EL, temperaturowo zależnej fotoluminescencji-TPL, dyfrakcji rentgenowskiej HR-XRD , mikroskopii transmisyjnej-TEM oraz katodoluminescencji-CL, pokazujące iż w podwyższonej temperaturze wzrostu warstw typu p zachodzi zmniejszenie lub przegrupowanie klastrów indu w studniach kwantowych. Pokazane zostaną również różnice w rozkładzie studni kwantowych w zależności od np. zawartości In, użytego podłoża czy szerokości studni kwantowych i wiele innych.
E.Grzanka1,2, J. Smalc-Koziorowska1,2, Sz. Grzanka1,2, L.Marona1,2, R.Czernecki1,2,
G.Staszczak1 , A.Lachowski1,3*, S.Kret4, M.Grabowski1, T.Suski1, P.Perlin1,2,
M.Leszczynski1,2
1 Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Polska
2 TopGaN Ltd., Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Polska
3 Wydział Inżynierii Materiałowej PW, Wołoska 141, 02-507 Warszawa, Polska
4 Instytut Fizyki PAN, Al.Lotników 29/37, 02-668 Warszawa, Polska
Studnie kwantowe InGaN/GaN stanowią część aktywną struktur laserowych (LD) i diod elektroluminescencyjnych (LED) emitujących światło w zakresie od ultrafioletu do zielonego. Tematem naszych badań jest ustalenie wpływu wysokiej temperatury wzrostu warstw typu p na zmianę rozkładu In w studniach kwantowych InGaN/GaN czyli na homogenizację tychże studni tuż przed ich rozkładem oraz sam proces rozkładu.Wykorzystane przez nas struktury hodowano metodą MOCVD.W czasie seminarium przedstawione zostaną wyniki pomiarów elektroluminescencji-EL, temperaturowo zależnej fotoluminescencji-TPL, dyfrakcji rentgenowskiej HR-XRD , mikroskopii transmisyjnej-TEM oraz katodoluminescencji-CL, pokazujące iż w podwyższonej temperaturze wzrostu warstw typu p zachodzi zmniejszenie lub przegrupowanie klastrów indu w studniach kwantowych. Pokazane zostaną również różnice w rozkładzie studni kwantowych w zależności od np. zawartości In, użytego podłoża czy szerokości studni kwantowych i wiele innych.