Seminarium Fizyki Ciała Stałego

Większość laserów oraz wiele detektorów zbudowanych jest na bazie półprzewodników III-V. Poprzez mieszanie bazowych materiałów (GaAs, InAs, GaSb, …) można uzyskać półprzewodnik o pożądanej przerwie energetycznej, stałej sieciowej oraz innych parametrach. Jednakże w zakresie średniej i dalekiej podczerwieni możliwości inżynierii struktury pasmowej w tej grupie materiałowej są dość ograniczone. Możliwości te zdecydowanie poprawia włączenie bizmutu tj. mieszanie półprzewodników III-V z półmetalami grupy III-V takimi jak InBi oraz GaBi. W tym podejściu można uzyskać materiały III-V z zamkniętą przerwą energetyczną o strukturze pasmowej podobnej do tej, którą znamy dla HgCdTe. Dlatego w ostatnich latach pojawiło się duże zainteresowanie półprzewodnikami grupy III-V rozrzedzonymi bizmutem, a ostatnie prace na temat GaSbBi pokazują, że może to być strategiczny materiał, jeżeli chodzi o zastosowanie w laserach. W ramach tego referatu przedstawiony będzie przegląd ostatnich prac w tym obszarze prowadzonych na Politechnice Wrocławskiej.