Seminarium Fizyki Ciała Stałego
sala 0.06, ul. Pasteura 5
dr Magdalena Popielska (Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski)
Separacja chemiczna jako źródło nematycznych właściwości stopów
dr Magdalena Popielska (Birowska)
Separacja chemiczna jako źródło nematycznych właściwości stopów.
Powszechnie obserwuje się łamanie symetrii obrotowej w płaszczyźnie, którewystępuje dla wielu materiałów, takich jak nadprzewodnikiniekonwencjonalne(np. CuxBi2Se3), półprzewodniki ferromagnetyczne (np. Ga1-xMnxAs), czystudnie kwantowe z np. z AlxGa1-xAs. Te nematyczne właściwości przypisujesię z reguły spontanicznemu łamaniu symetrii, tj. przejściu fazowemuwywołanemu korelacjami. Na seminarium przedstawię tezę, że za łamaniesymetrii obrotowej odpowiada często zamrożona anizotropia rozkładuskładników stopu, która powstaje podczas wzrostu kryształu, co zilustrujena przykładzie dwóch stopów In1-xFexAs i Ga1-xMnxAs. Przedstawię wynikiab initio dotyczące anizotropowej chemicznej separacji faz tychmateriałów. Pokażę, że to właśnie zamrożony anizotropowy rozkładskładników stopu odpowiada za magnetyczne czy magnetyczno-transportowewłaściwości, co zostanie omówione na przykładzie magnetorezystancjianizotropowej (AMR) In1-xFexAs i Ga1-xMnxAs.
Separacja chemiczna jako źródło nematycznych właściwości stopów.
Powszechnie obserwuje się łamanie symetrii obrotowej w płaszczyźnie, którewystępuje dla wielu materiałów, takich jak nadprzewodnikiniekonwencjonalne(np. CuxBi2Se3), półprzewodniki ferromagnetyczne (np. Ga1-xMnxAs), czystudnie kwantowe z np. z AlxGa1-xAs. Te nematyczne właściwości przypisujesię z reguły spontanicznemu łamaniu symetrii, tj. przejściu fazowemuwywołanemu korelacjami. Na seminarium przedstawię tezę, że za łamaniesymetrii obrotowej odpowiada często zamrożona anizotropia rozkładuskładników stopu, która powstaje podczas wzrostu kryształu, co zilustrujena przykładzie dwóch stopów In1-xFexAs i Ga1-xMnxAs. Przedstawię wynikiab initio dotyczące anizotropowej chemicznej separacji faz tychmateriałów. Pokażę, że to właśnie zamrożony anizotropowy rozkładskładników stopu odpowiada za magnetyczne czy magnetyczno-transportowewłaściwości, co zostanie omówione na przykładzie magnetorezystancjianizotropowej (AMR) In1-xFexAs i Ga1-xMnxAs.