Seminarium Fizyki Ciała Stałego
sala 0.06, ul. Pasteura 5
2019-06-07 (10:15) 
prof. dr hab. Jacek M. Baranowski (Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych.)
Wzrost warstw TMD przez procesy interkalacji w strukturach Grafen/SiC
Wzrost epitaksjalny dwuwymiarowych warstw TMD’s jest istotny ze względu na przyszłe zastosowania elektroniczne tych materiałów. Przedstawione będą wyniki pokazujące istotną role podłóż we wzroście epitaksjalnym MoS2 i WS2.Poza tym pokazany będzie nowy kierunek wzrostu tych warstw uzyskany poprzez interkalacje składników przez grafen wzrastany na SiC. Przedstawione będą wyniki określające wyspowy charakter wzrostu badanych warstw.