Seminarium Fizyki Ciała Stałego
sala 0.06, ul. Pasteura 5
2020-03-13 (10:15) 
dr hab. Wojciech Pacuski (Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski)
Epitaksja dichalkogenków na eksfoliowanym hBN
Monowarstwy dichalkogenków metali przejściowych znane są z zadziwiających właściwości optycznych związanych z ostrymi rezonansami ekscytonowymi, które jednak obserwowane były do tej pory jedynie dla warstw otrzymanych w wyniku mechanicznej eksfoliacji, ewentualnie dla warstw wyhodowanych metodą osadzania z fazy gazowej (CVD), a następnie eksfoliowanych i umieszczonych pomiędzy warstwami hBN. Jedną z konsekwencji mechanicznej obróbki jest ograniczony rozmiar i niejednorodność struktur związana z fałdami, bąblami, poszarpanymi krawędziami i naprężeniami.
Z drugiej strony epitaksja z wiązek molekularnych dostarczała do tej pory jedynie struktury o znacznie poszerzonych liniach ekscytonowych, niedających nadziei np. na rozdzielenie linii ekscytonu neutralnego i naładowanego, a zatem niepozwalających na wykorzystanie spektakularnych właściwości dichalkogenków metali przejściowych.
Okazuje się jednak [1], że oba powyższe problemy można usunąć poprzez wzrost dichalkogenków metali przejściowych przy pomocy epitaksji z wiązek molekularnych na ultra gładkim podłożu hBN.
[1] W. Pacuski, M. Grzeszczyk, K. Nogajewski, A. Bogucki, K. Oreszczuk, J. Kucharek, K.E. Połczyńska, B. Seredyński, A. Rodek, R. Bożek, T. Taniguchi, K. Watanabe, S. Kret, J. Sadowski, T. Kazimierczuk, M. Potemski, P. Kossacki, „Narrow Excitonic Lines and Large-Scale Homogeneity of Transition-Metal Dichalcogenide Monolayers Grown by Molecular Beam Epitaxy on Hexagonal Boron Nitride", Nano Lett. XXXX, XXX (2020), dostępne online od 03.03.2020, https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b04998
Z drugiej strony epitaksja z wiązek molekularnych dostarczała do tej pory jedynie struktury o znacznie poszerzonych liniach ekscytonowych, niedających nadziei np. na rozdzielenie linii ekscytonu neutralnego i naładowanego, a zatem niepozwalających na wykorzystanie spektakularnych właściwości dichalkogenków metali przejściowych.
Okazuje się jednak [1], że oba powyższe problemy można usunąć poprzez wzrost dichalkogenków metali przejściowych przy pomocy epitaksji z wiązek molekularnych na ultra gładkim podłożu hBN.
[1] W. Pacuski, M. Grzeszczyk, K. Nogajewski, A. Bogucki, K. Oreszczuk, J. Kucharek, K.E. Połczyńska, B. Seredyński, A. Rodek, R. Bożek, T. Taniguchi, K. Watanabe, S. Kret, J. Sadowski, T. Kazimierczuk, M. Potemski, P. Kossacki, „Narrow Excitonic Lines and Large-Scale Homogeneity of Transition-Metal Dichalcogenide Monolayers Grown by Molecular Beam Epitaxy on Hexagonal Boron Nitride", Nano Lett. XXXX, XXX (2020), dostępne online od 03.03.2020, https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b04998