Seminarium Fizyki Ciała Stałego

Metoda CVD (chemical vapour deposition) pozwala na otrzymywanie grafenu w powtarzalny, skalowalny oraz wolny od zanieczyszczeń sposób. Obecnie najczęściej jako podłoże do tej metody stosuje się miedź z uwagi na jej niską cenę oraz dostępność, jednakże podłoże metaliczne nie pozwala na wykorzystanie tak wytworzonego grafenu w zastosowaniach elektronicznych. Z tego powodu, pożądane jest podłoże kompatybilne z CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor), jakim jest na przykład german [1]. W trakcie seminarium przedstawię najnowsze osiągnięcia dotyczące wzrostu grafenu na germanie, a także wyjaśnię, jak orientacja krystalograficzna podłoża wpływa na własności strukturalne oraz geometrię domen grafenu [2].[1] I. Pasternak, P. Dabrowski, P. Ciepielewski, V. Kolkovsky, Z. Klusek, J.M. Baranowski, W. Strupinski, Large-area high-quality graphene on Ge(001)/Si(001) substrates, Nanoscale. 8 (2016) 11241–11247. doi:10.1039/C6NR01329E.[2] J. Sitek, I. Pasternak, J. Grzonka, J. Sobieski, J. Judek, P. Dabrowski, M. Zdrojek, W. Strupinski, Impact of germanium substrate orientation on morphological and structural properties of graphene grown by CVD method, Appl. Surf. Sci. 499 (2020) 143913. doi:10.1016/j.apsusc.2019.143913.UwagaSeminarium w trybie zdalnympatrz instrukcja :instrukcja: (pdf file)