Seminarium Fizyki Ciała Stałego
2006/2007 | 2007/2008 | 2008/2009 | 2009/2010 | 2010/2011 | 2011/2012 | 2012/2013 | 2013/2014 | 2014/2015 | 2015/2016 | 2016/2017 | 2017/2018 | 2018/2019 | 2019/2020 | 2020/2021 | 2021/2022 | 2022/2023 | 2023/2024 | 2024/2025
2016-06-10 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15 
dr hab. Mariusz Krawiec, prof. UMCS (Instytut Fizyki, Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej w Lublinie)Silicen na metalicznych studniach kwantowych
Silicen, krzemowy odpowiednik grafenu, jest nowym dwuwymiarowym materiałem o grubości pojedynczej warstwy atomowej, utworzonej z atomów krzemu. Pomimo wielu podobieństw do grafenu, zarówno w strukturze atomowej jak i elektronowej, włączając w to obecność bardzo ruchliwych bezmasowych cząstek Diraca, silicen posiada ogromną przewagę nad grafenem, istotną z punktu widzenia zastosowań w nanoelektronice. Mianowicie, jest nie tylko kompatybilny z obecną elektroniką opartą na krzemie, ale z łatwością może być funkcjonalizowany.Na wykładzie przedstawiony i omówiony zostanie obecny status badań zarówno eksperymentalnych jak i teoretycznych dotyczących wytwarzania i charakteryzowania warstw silicenowych oraz wybranych zjawisk fizycznych obserwowanych w tym materiale. Szczególna uwaga zostanie poświęcona sterowaniu oddziaływaniem silicenu z podłożem poprzez wykorzystanie metalicznych studni kwantowych oraz modyfikowaniu właściwości strukturalnych i elektronowych silicenu.
2016-06-03 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
mgr Michał Grzybowski (Instytut Fizyki PAN Warszawa)Spintronika Antyferromagnetyczna
Antyferromagnetyki budzą coraz większe zainteresowanie ze względu na potencjalne zastosowania w spintronice. Naprzemienny zwrot momentów magnetycznych jonów skutkuje występowaniem zerowej makroskopowej magnetyzacji, a co za tym idzie, małą podatnością na zewnętrzne pola magnetyczne. Jednakże kierunek osi magnetycznej może być kontrolowany w sposób inny niż przez zewnętrzne pole magnetyczne. Efektywne pola, naprzemienne w obrębie komórki elementarnej, indukowane prądem elektrycznym, wynikające ze sprzężenia spinowo-orbitalnego dają możliwość kontroli uporządkowania spinów w antyferromagnetyku. Przedstawiona zostanie doświadczalna realizacja teoretycznych przewidywań dla arsenku miedziowo-manganowego CuMnAs - zmiana kierunku uporządkowania magnetycznego wywołana impulsami prądu o dużej gęstości i rejestrowana metodami elektrycznymi (AMR) oraz synchrotronowymi (PEEM-XMLD) wraz z obrazowaniem struktury domenowej.
2016-05-27 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
Seminarium nie odbędzie się
2016-05-20 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
(Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk)Tlenek cynku w heterozłączach - selektywne detektory promieniowania UV
Tlenek cynku jest półprzewodnikiem szerokoprzerwowym posiadającym wiele cech wspólnych z azotkiem galu, a jednocześnie różniącym się od niego. Może on występować w niezwykle różnorodnych formach począwszy od nanoproszków, nanosłupków, warstw epiatksjalnych, kończąc na wysokiej jakości kryształach objętościowych. Najważniejszym problem ograniczającym zastosowanie ZnO w optoelektronice jest problem asymetrycznego domieszkowania, gdyż uzyskanie dziurowego typu przewodnictwa jest niezwykle trudne. Podczas seminarium pokazane zostaną wyniki badań XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) pokazujące stan chemiczny akceptorów grupy V (As, Sb, N) w warstwach ZnO. Przedstawione zostaną heterozłącza o wysokich współczynnikach prostowania (IF/IR~10^6-10^9) ZnO:V/GaN, ZnO:V/i/GaN, ZnO/SiC, ich własności elektryczne i optyczne. Obecność złączy na interfejsie zostanie zobrazowana poprzez połączenie technik SEM (Scanning Electron Microscope) i EBIC (Electron-Beam Induced Current). Zademonstrowane zostaną wyniki selektywnej detekcji promieniowania UV oraz szybkich zaników fotoprądu (~1ms).
2016-05-13 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
prof. nzw. dr hab. Agata Kamińska (Instytut Fizyki PAN Warszawa)Badania własności optycznych polarnych studni kwantowych GaN/AlN z zastosowaniem wysokich ciśnień hydrostatycznych i obliczeń ab initio
W prezentacji zostaną przedstawione wyniki badań własności optycznych serii polarnych studni kwantowych GaN/AlN, które zostały uzyskane z wykorzystaniem spektroskopii czasowo-rozdzielczej oraz wysokich ciśnień hydrostatycznych generowanych w kowadłach diamentowych. Analizowane układy wielostudni o szerokościach od 1 do 6 nm zostały otrzymane techniką PAMBE (plasma-assisted molecular-beam epitaxy), a następnie poddane charakteryzacji strukturalnej metodami XRD (x-ray diffraction) oraz TEM (transmision electron microscopy), które wykazały ogólnie dobrą jakość wyhodowanych heterostruktur. Zarówno energie luminescencji EPL, jak i współczynniki ciśnieniowe energii luminescencji dEPL/dp oraz szybkości przejść radiacyjnych okazały się silnie zależne od wbudowanych pól elektrycznych wynikających z polaryzacji spontanicznej będącej skutkiem asymetrii wiązań atomowych w materiałach o strukturze wurcytu oraz polaryzacji piezoelektrycznej generowanej w heterostrukturach w wyniku niedopasowania sieciowego studni i barier.Omówione zostaną wyniki obliczeń ab initio przeprowadzonych dla struktur o tej samej geometrii. Opracowany model teoretyczny wykazał dobrą zgodność z danymi eksperymentalnymi, wskazując na znaczący wpływ efektów nieliniowych związanych z naprężeniami tetragonalnymi spowodowanymi niedopasowaniem sieciowym pomiędzy substratem a układem wielostudni GaN/AlN.
2016-05-06 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
Seminarium nie odbędzie się
W tym dniu obchodzimy na Wydziale Dzień Fizyka.
Więcej informacji:
http://www.fuw.edu.pl/aktualnosci-all/news4513.html
Więcej informacji:
http://www.fuw.edu.pl/aktualnosci-all/news4513.html
2016-04-29 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
Prof. dr hab. Jacek Szade (Instytut Fizyki im. A. Chełkowskiego, Uniwersytet Śląski)Ultra-cienkie warstwy izolatora topologicznego Bi2Te3 - lokalne przewodnictwo i czasowo-rozdzielcza spektroskopia
Bi2Te3 należy do grupy tzw. trójwymiarowych izolatorów topologicznych. Monokrystaliczne warstwy Bi2Te3 na mice o grubości do 20 nm wykazują efekty związane z istnieniem stanów powierzchniowych, które można scharakteryzować przy użyciu takich metod jak lokalne przewodnictwo AFM (LC AFM) czy femtosekundowa spektroskopia optyczna. Badania LC AFM pokazały relację przewodnictwa z morfologią powierzchni, podczas gdy ultra-szybkie pomiary optyczne pozwoliły na generację fononów optycznych i akustycznych dla warstw o grubości powyżej kilku nm. Pokazano, że badania optyczne w ultra-cienkich warstwach mogą być wykorzystane do określenia sprzężenia elektronowych stanów powierzchniowych i podłużnych fononów optycznych.
2016-04-22 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
mgr Łukasz Dusanowski (Politechnika Wrocławska)Dynamika oraz statystyka emisji fotonów z kompleksów ekscytonowych związanych w kreskach kwantowych InAs/InP
W referacie przedstawione zostaną wyniki badań dynamiki nośników oraz statystyki emisji fotonów z kompleksów ekscytonowych związanych w półprzewodnikowych kreskach kwantowych z InAs na podłożu z InP, na podstawie pomiarów widm fotoluminescencji, fotoluminescencji rozdzielonej w czasie oraz spektroskopii korelacji fotonów na pojedynczych kreskach kwantowych emitujących w zakresie 1.55 µm. Omówiony zostanie wpływ temperatury oraz mocy pobudzania na kształt obserwowanych linii emisyjnych, dekoherencję stanów ekscytonowych oraz dynamikę i statystykę emisji fotonów. Interpretacja danych doświadczalnych poparta zostanie wynikami modelowania teoretycznego.
2016-04-15 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
prof. dr hab. Stanisław Krukowski (Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk)Adsorpcja na powierzchniach półprzewodników w obliczeniach ab initio - mechanizm wzrostu i domieszkowania półprzewodników
Podstawy atomowej teorii wzrostu kryształów w modelu Burton Cabrera Frank (BCF) zostaną omówione. Wzrost kryształów i warstw półprzewodników jak płyniecie stopni zostanie przeanalizowany. Zostanie wykazane, że wyniki modelu nie odzwierciedlają własności ruchu stopni. Pinning powierzchni Fermiego zostanie wprowadzony. Konsekwencje pinningu dla domieszkowania półprzewodników podczas wzrostu zostaną przedstawione. Adsorpcja atomów i molekuł na powierzchni półprzewodników i jej własności elektronowe zostaną przedstawione. Skok poziomu Fermiego i związane z tym zmiany energii adsorpcji zostanie pokazana dla procesów adsorpcji na powierzchniach półprzewodników szeroko-przerwowych: GaN, AlN i SiC, modelowanych w obliczeniach ab initio. Wyniki te dowodzą, że większość procesów wzrostu zachodzi bez pinningu poziomu Fermiego na powierzchni. Prowadzi to do zależności adsorpcji, a wiec wbudowywania domieszek, od położenia poziomu Fermiego w objętości półprzewodnika. Diagram termodynamiczny powierzchni GaN(0001) w obecności mieszaniny wodoru i amoniaku zostanie przedstawiony i omówiony
2016-04-08 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
dr Łukasz Kilański (Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk)Półprzewodniki grupy II-IV-V2 z Mn: kryształy jednorodne oraz kompozyty ferromagnetyczne
Ferromagnetyzm w temperaturze pokojowej obserwowany w półprzewodnikach grupy II-IV-V2 zawierających jony manganu jest związany z obecnością wytrąceń np. MnAs. Materiały II-IV-V2 badane są w dwóch reżimach domieszkowania tj. jako materiały jednorodne oraz kompozytowe. Oba reżimy domieszkowania wymagają zbadania szeregu zjawisk fizycznych.Materiały II-IV-V2 z Mn zawierające znaczne ilości jonów magnetycznych umożliwiają badania możliwości kontroli zjawisk magnetycznych oraz magnetotransportowych; obu związanych w znacznej mierze z obecnością ferromagnetycznych klasterów. Oddziaływania wewnątrz- oraz między-klasterowe wpływają na magnetotransport materiałów kompozytowych. W trakcie seminarium pokazane zostaną rezultaty badań ww. efektów obserwowanych w przypadku kilku przedstawicieli półprzewodników grupy II-IV-V2 z Mn. W szczególności pokazane zostaną znaczne efekty magnetooporowe związane z dwu-fazową naturą materiałów. Oddziaływania magnetyczne w jednorodnych materiałach tj. (Cd,Zn)1-xMnxGeAs2 wskazują na istnienie słabych oddziaływań pomiędzy jonami Mn w przypadku niskiego reżimu domieszkowania. Wyniki otrzymane dla paramagnetycznych kryształów II-IV-V2 z Mn wskazują jednoznacznie, iż rozpuszczalność jonów Mn w tych materiałach jest znacznie wyższa niż w półprzewodnikach III-V. Ponadto, w odróżnieniu od materiałów II-VI, kryształy II-IV-V2 charakteryzują się znacznie większymi wartościami stałych oddziaływań RKKY oraz silnym przewodnictwem typu p – właściwościami niezbędnymi do obserwacji ferromagnetyzmu związanego z oddziaływaniami magnetycznymi przenoszonymi przez swobodne nośniki ładunku elektrycznego.
2016-04-01 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
dr hab. Hanka Przybylińska (Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk)GeMnTe - multiferroiczny półprzewodnik
GeTe jest półprzewodnikiem o wąskiej przerwie energetycznej i jednym z najprostszych ferroelektryków, o temperaturze przemiany fazowej około 625 K. W wysokotemperaturowej fazie paraelektrycznej ma strukturę soli kuchennej, w fazie ferroelektrycznej obie kubiczne, płasko centrowane podsieci anionowe i kationowe przesunięte są względem siebie wzdłuż przekątnej w przeciwnych kierunkach, co powoduje powstanie spontanicznej polaryzacji elektrycznej. GeTe domieszkowany manganem, z kolei, jest znanym półprzewodnikiem ferromagnetycznym, przy czym rozpuszczalność manganu w GeMnTe jest wyjątkowo wysoka, rzędu 50%, bez uszczerbku dla jakości struktury krystalicznej. Ferromagnetyczna temperatura Curie wzrasta wraz ze składem manganu, osiągając wartości w okolicach 200 K dla składu 50%. Jednakże, ze względu na ekranowanie przez swobodne nośniki GeMnTe współistnienie porządku ferroelektrycznego i ferromagnetycznego nie jest możliwe do wykazania przy użyciu standardowych technik badawczych stosowanych dla typowych multiferroicznych izolatorów.Zastosowanie techniki rezonansu ferromagnetycznego umożliwia badania anizotropii magnetokrystalicznej, a tym samym detekcji lokalnego pola elektrycznego w otoczeniu domieszki. Pokażę, że GeMnTe jest multiferroicznym półprzewodnikiem, w którym jednocześnie występuje uporządkowanie ferroelektryczne i ferromagnetyczne. Ponadto, te dwa porządki są ze sobą sprzężone, co umożliwia odwrócenie kierunku elektrycznego momentu dipolowego przy pomocy zewnętrznego pola magnetycznego o stosunkowo niskim natężeniu, znacznie niższym niż dla większości innych monokrystalicznych multiferroików, które zwykle wykazują słaby porządek magnetyczny lub ferroelektryczny. Odwróceniu kierunku polaryzacji ferroelektrycznej towarzyszy reorientacja łatwych i trudnych kierunków namagnesowania.
2016-03-18 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
Dr hab. Janusz Sadowski (Laboratorium MAX-IV, Uniwersytet w Lund, Szwecja, Uniwersytet Linneusza, Kalmar, Szwecja, Instytut Fizyki PAN, Warszawa)(Ga,Mn)As jako kanoniczny rozcieńczony półprzewodnik ferromagnetyczny – od warstw do nanokropek i nanodrutów magnetycznych
W bieżącym roku mija 20 lat od opublikowania pierwszej pracy dotyczącej obserwacji przejścia do fazy ferromagnetycznej w arsenku galu domieszkowanym manganem [1]. W szwedzkim narodowym laboratorium synchrotronowym (MAX-Lab), badania dotyczące (Ga,Mn)As zostały zapoczątkowane w 1998 roku [2]. Przedstawię w skrócie ewolucję tej tematyki, rozwijanej przeze mnie na Uniwersytecie w Lund w latach 1998-2016 (we współpracy z wieloma innymi ośrodkami, w tym IF PAN i UW), ze szczególnym uwzględnieniem metod otrzymywania i właściwości niskowymiarowych obiektów magnetycznych typu nano-kropki i nanodruty. W tym ostatnim przypadku po raz pierwszy otrzymano ferromagnetyczny (Ga,Mn)As o heksagonalnej strukturze (wurcytu) [3].
[1] H. Ohno, et. al. Appl. Phys. Lett. 69, 363 (1996).
[2] J. Sadowski, J. Domagała, et. al. Acta Phys. Pol. A, 94, 509 (1998).
[3] A. Siusys, J. Sadowski, et. al. Nano Lett. 14, 4263 (2014).
[1] H. Ohno, et. al. Appl. Phys. Lett. 69, 363 (1996).
[2] J. Sadowski, J. Domagała, et. al. Acta Phys. Pol. A, 94, 509 (1998).
[3] A. Siusys, J. Sadowski, et. al. Nano Lett. 14, 4263 (2014).
2016-03-11 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
dr hab. Rafał Demkowicz-Dobrzański (Katedra Optyki Kwantowej i Fizyki Atomowej, Instytut Fizyki Teoretycznej, Wydział Fizyki, Uniwersytet Warszawski)Nieklasyczne stany światła w detektorach fal grawitacyjnych
Z punktu widzenia optyka kwantowego działanie detektora fal grawitacyjnych LIGO, w którym zarejestrowano ostatnio pierwszy bezpośredni sygnał od fali grawitacyjnej, jest przykładem klasycznej interferometrii, nie wykorzystującej w pełni potencjału leżącego w nieklasycznych stanach światła. Splątanie fotonów czy ściskanie próżni pozwala napokonanie tzw. szumu śrutowego będącego dominującym czynnikiem ograniczającym czułość detektorów fal grawitacyjnych w zakresach częstotliwości powyżej 100 Hz.Pokażę jakie są fundamentalne ograniczenia narzucane przez samą mechanikę kwantową na poprawę czułości w tego typu urządzeniach dzięki wykorzystaniu nieklasycznych stanów światła na przykładzie przeprowadzonych w ostatnich latach eksperymentów w detektorze GE0600
2016-03-04 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
mgr Marcin Krajewski (IFD UW)Wpływ termicznego utleniania nanodrutów żelazowych na ich właściwości strukturalne, magnetyczne i optyczne
Influence of thermal oxidation of iron nanowires on their structural, magnetic and optical properties
Obecnie inżynieria nanomateriałów opartych na związkach żelaza jest bardzo szybko rozwijającą się gałęzią nauki i nanotechnologii. Bez wątpienia jest to związane z obecnością dużej ilości żelaza w przyrodzie, co korzystnie wpływa na obniżenie kosztów wytwarzania nanomateriałów żelazowych. Ponadto proste związki żelaza takie jak tlenki wykazują unikalne właściwości optyczne, magnetyczne i związane ze zjawiskami zachodzącymi na ich powierzchni. Co więcej większość z nich nie jest toksyczna. Wszystkie te cechy sprawiają, że nanomateriały na bazie żelaza są obiecujące z punktu widzenia wielu zastosowań. Jedną z najczęściej badanych nanostruktur żelazowych jest forma nanodrutu. Dlatego niniejsze seminarium będzie poświęcone nanodrutom żelazowym, które zostały wytworzone za pomocą prostej reakcji chemicznej z użyciem zewnętrznego pola magnetycznego.Szczegółowo omówiony zostanie wpływ ich termicznego utleniania w przepływowej atmosferze neutralnego argonu na zmianę ich właściwości strukturalnych, magnetycznych i optycznych. Ponadto, porównane zostaną własności nanodrutów żelazowych i nanocząstek żelazowych, które zostały wytworzone dokładnie tą samą metodą, lecz bez użycia pola magnetycznego.
2016-02-26 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
dr hab. Adam Babiński, prof. UW (IFD UW)Rezonansowe rozpraszanie Ramana w cienkich warstwach chalkogenków metali przejściowych
Fizyka cienkich warstw tzw. materiałów dwuwymiarowych przyciąga uwagębadaczy od ponad 10 lat. W ostatnim okresie do klasycznego już niemalgrafenu dołączyły także inne materiały o strukturze laminarnej, którychwłasności krytycznie zależą od ich grubości. Chalkogenki metaliprzejściowych stanowią podstawową grupę takich związków.W takcie seminarium przedstawione zostaną wyniki pomiarów rozpraszaniaRamana w jednym z takich związków: tellurku molibdenu (MoTe2). Omówionazostanie ewolucja obserwowanych widm wywołana zmianą grubości badanychstruktur. Przedstawione zostaną argumenty wskazujące na rezonansowycharakter rozpraszania ramanowskiego dla pewnych specyficznych warunkówpobudzania.Omówione wyniki potwierdzą potencjał badań rozpraszania ramanowskiego wcienkich warstwach materiałów dwuwymiarowych.
2016-01-22 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
dr Marek Potemski (Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses - Grenoble)Rezonanse ekscytonowe w atomowo cienkich warstwach dichalkogenidków metali przejściowych
Zostaną przedstawione właściwości optyczne cienkich warstw dichalkogenków metali przejściowych (WSe_2, MoSe_2, WS_2). W szczególności będą omawiane wyniki badan magneto-spektroskopowych. Będzie również dyskutowana obserwacja centrów emitujących pojedyncze fonony i wpływ pola magnetycznego na efektywność rozpraszania międzydolinowego.
Referencje:
Excitonic resonances in thin films of WSe2: from monolayer to bulk material, A. Arora et al., Nanoscale 7, 10421 (2015);
Exciton band structure in layered MoSe2: from a monolayer to the bulk limit, A. Arora, et al., Nanoscale 7, 20769 (2015);
Single photon emitters in exfoliated WSe2 structures, M. Koperski et al., Nature Nanotechnology 10, 503 (2015).
Tuning valley polarization in a WSe2 monolayer with a tiny magnetic field, T. Smoleński et al.,
Bright and dark excitons in transition metal dichalcogenides: high field magneto-optics of MoSe2 and WSe2 monolayers: M. Koperski et al., to be published
Optical study of monolayer, few-layer and bulk tungsten disulfide; M. Molas etal., to be publish
Referencje:
Excitonic resonances in thin films of WSe2: from monolayer to bulk material, A. Arora et al., Nanoscale 7, 10421 (2015);
Exciton band structure in layered MoSe2: from a monolayer to the bulk limit, A. Arora, et al., Nanoscale 7, 20769 (2015);
Single photon emitters in exfoliated WSe2 structures, M. Koperski et al., Nature Nanotechnology 10, 503 (2015).
Tuning valley polarization in a WSe2 monolayer with a tiny magnetic field, T. Smoleński et al.,
Bright and dark excitons in transition metal dichalcogenides: high field magneto-optics of MoSe2 and WSe2 monolayers: M. Koperski et al., to be published
Optical study of monolayer, few-layer and bulk tungsten disulfide; M. Molas etal., to be publish
2016-01-15 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
mgr inż. Andrzej Taube (Instytut Technologii Elektronowej, Zakład Mikro i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych)Konstrukcja i technologia tranzystorów polowych HEMT AlGaN/GaN dla radiolokacji i elektroniki wysokich nap
W ramach seminarium omówione zostaną podstawowe właściwości materiałów i heterostruktur III-N istotne z punktu widzenia zastosowań w przyrządach półprzewodnikowych przeznaczonych dla radiolokacji i elektroniki wysokich napięć. Przedstawiona zostanie konstrukcja i technologia tranzystorów polowych HEMT na bazie heterostruktur AlGaN/GaN dla tych obu aplikacji. Szczególny nacisk zostanie położony na powiązanie parametrów materiałowych i parametrów konstrukcyjnych przyrządu z parametrami użytkowymi tranzystorów HEMT. Zaprezentowane zostaną wyniki prac nad tranzystorami HEMT AlGaN/GaN prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej we współpracy z innymi ośrodkami zajmującymi się tematyką azotkową w ramach projektu PBS NCBiR Pol-HEMT i programu Ventures FNP PowerHEMT (Ammono S.A., IWC PAN, ToPGaN sp. z.o.o., Politechnika Warszawska).
2016-01-08 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
Prof. dr hab.Marta Cieplak (Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk)Domieszki metali przejściowych w nadprzewodnikach żelazowych
Jednym z ciekawszych wydarzeń w fizyce materii skondensowanej w ostatnim dziesięcioleciu było odkrycie nadprzewodnictwa w związkach żelaza, pniktydkach i chalkogenkach. Mechanizm tego nadprzewodnictwa ma charakter niekonwencjonalny - przypuszcza się, że za powstawanie par Coopera odpowiedzialne są wzbudzenia spinowe. Jedną z metod używanych w badaniach tych materiałów jest podstawianie domieszek w miejsce żelaza, bowiem domieszki modyfikują w sposób bardzo istotny diagram fazowy tych materiałów. Wpływ domieszek metali przejściowych na własności pniktydków badany jest bardzo intensywnie przez wiele grup; natomiast znacznie mniej wiadomo na temat wpływu na własności chalkogenków. W niniejszym seminarium, po wstępnym wprowadzeniu ogólnym do tematyki nadprzewodników żelazowych, omówię nasze nowe badania, które pozwalają na pierwszy, pełny opis własności transportowych kryształów chalkogenków z podstawieniami domieszek metali przejściowych w miejsce żelaza.
2015-12-18 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
Prof. dr hab. inż. Thomas Skotnicki (STMicroelectronics Fellow and Director of Advanced Devices at STMicroelectronics Crolles, France, Wiceprezes Zarządu ds. operacyjnych i programowych, Dyrektor Konsorcjum CEZAMAT, Politechnika Warszawska)1.UTBB FDSOI - from equation to fabrication, 2. CEZAMAT - perspektywy i wyzwania
2015-12-11 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
Dr Michał Borysiewicz (Instytut Technologii Elektronowej)Cienkie warstwy szerokoprzerwowych półprzewodników tlenkowych wytwarzane techniką magnetronowego rozpylania katodowego: mikrosktruktura i funkcjonalność
Zaprezentowane zostaną możliwości współczesnej techniki magnetronowego rozpylania katodowego w zakresie wytwarzania tlenkowych materiałów funkcjonalnych. Omówione zostaną właściwości materiałów krystalicznych oraz amorficznych projektowanych pod kątem konkretnych wymagań procesowych. Szczególny nacisk położony zostanie na wzrost samoorganizujących się nanostruktur Zn i ZnO oraz ich zastosowanie w przyrządach sensorowych oraz do magazynowania i generowania energii.
2015-12-04 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
Dr Marek Potemski (Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses - Grenoble)Magneto-optyka grafenu: struktura pasmowa, rozpraszanie nośników i efekty oddziaływań
Przedstawione będą wyniki badań magneto-spektroskopowych (absorpcja w zakresie podczerwieni i rozpraszanie Ramanowskie) różnych struktur grafenowych. Dyskutowane będą pasma energetyczne tych struktur i ich jakość z punktu widzenia własności elektronowych. Zostaną omówione efekty związane z oddziaływaniami elektron-fonon i elektron-elektron.
2015-11-27 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
Dr Paweł Kowalczyk (Uniwersytet Łódzki, Z-d Fizyki i Technologii Struktur Nanometrowych)"Bizmuten": własności elektronowe dwuwymiarowego bizmutu w strukturze czarnego fosforu
2015-11-23 (Poniedziałek)
Zapraszamy do sali 1.40, ul. Pasteura 5 o godzinie 15:15
Eugenio Coronado Miralles (University of Valencia, Institute of Molecular Science)Molecular spintronics: from magnetic molecules to hybrid materials and multifunctional devices
Spin-based electronics is one of the emerging branches in today’s nanotechnology and the most active area within nanomagnetism. So far spintronics has been based on conventional materials like inorganic metals and semiconductors. A current trend in this area is that of incorporating molecules in the game. The resulting emergent field - namely molecular spintronics - is propelled by the possibility of preparing a second generation of spintronic devices based on molecular materials (organic spintronics), and by the possibility to manipulate the molecular spin individually (single-molecule nanospintronics). In this talk these two trends will be illustrated with several examples taken from my own research: i) the use of single-molecule nanomagnets as spin qubits [1]; ii) The electrical addressing of the spin in molecular nanoobjects [2]; iii) The use of single-molecule magnets based on rare-earths as components of new spin valves [3]; iv) the fabrication of spin-OLEDs (i.e., multifunctional molecular devices in which the light emission can be tuned through a magnetic field).
2015-11-20 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
Dr Giacomo Scalari (ETH Zurich, Institute of Quantum Electronics)Sub-THz Ultrastrong light-matter coupling with Landau levels in semiconductors and superconducting metasurfaces
Cavity light-mattercoupling in solid state systems has been recently approaching the ultrastrong coupling regime [1-4], where the Rabi frequency Ω is comparable to the bare excitation frequency ω. We recentlydemonstrated a new platform to investigate ultrastrong coupling physics: the cyclotron transition of a 2DEG is coupled to an Au metasurface of THz split-ring resonators reaching the ultrastrong couplingregime and showing record high values of the light-matter coupling ratio Ω/ω=0.58 [5]. I will present our recent advancesin this polaritonic system. We employ Nb-based superconducting complementary metasurfaces[6] achieving adiabatic modulation of the polaritonicstates through temperature tuning. With the same kind of cavities and a sample withn=4 quantum wells we observe a record-high normalized coupling ratio of Ω/ω=0.89 [7] at a frequency of 300 GHz. For such valuethe polaritonic dispersion clearly deviates from the linearregime. I will discuss also an high quality factor complementary THz metasurface based on Niobium thin film [8], which displaysnarrow resonance and Q factor higher than 50 at T=3 K in a strongly subwavelength volume ( Vcav/ lambda3 of the order of 10-6). I will present new experimentalresults obtained measuring these metasurfaces at temperaturesas low as 20 mK, where Q factors as high as 120 are measured.Our measurements highlight the role of the residual normal state electrons at temperatureswell below the critical temperature TC. [1] C. Ciuti, G. Bastard, and I. Carusotto, Phys. Rev. B 72, 115303 (2005).[2] T. Niemczyk, F. Deppe, H. Huebl, E. P. Menzel, F. Hocke, M. J. Schwarz, J. J. Garcia-Ripoll, D. Zueco, T. Hümmer, E. Solano, et al., Nature Physics 6, 772776 (2010).[3] G. Günter et al., Nature 458, 178 (2009). [4] Y. Todorov et al., Phys. Rev. Lett. 105, 196402 (2010). [5| G. Scalari, C. Maissen, D. Turcinkova, D.Hagenmuller, S. deLiberato, C. Ciuti, C. Reichl, D.Schuh, W. Wegscheider, M. Beck and J. Faist, Science 335, 1323 (2012)[6] G. Scalari, C. Maissen, S. Cibella, R. Leoni, P. Carelli, F. Valmorra, M. Beck, and J. Faist, New Journal of Physics 16, 033005 (2014).[7] C. Maissen, G. Scalari, F. Valmorra, M. Beck, S. Cibella, R. Leoni, C. Reichl, C. Charpentier, W. Wegscheider, J. Faist, Phys. Rev. B 90, 205309 (2014) [8] G. Scalari et al., Applied Physics Letters 105 (26), 2 61104 (2014).
2015-11-13 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
mgr Tomasz Smoleński (IFD UW)Pojedynczy jon Fe2+ w kropce kwantowej
Kropka kwantowa zawierająca pojedynczy jon metalu przejściowego pozwala na precyzyjne optyczne badania własności spinowych tego jonu oddziałującego z nośnikami i z siecią krystaliczną, natomiast dobrze odizolowanego od innych jonów magnetycznych. Jedną z najważniejszych motywacji tego typu badań jest opanowanie optycznej kontroli nad pojedynczym spinem oraz osiągnięcie możliwie długiego czasu koherencji spinowej pojedynczego jonu. Z tego powodu jon żelaza Fe2+ jest wyjątkowo obiecujący, bowiem nie posiada spinu jądrowego (w przeciwieństwie do jonów manganu i kobaltu umieszczanych dotąd w kropkach kwantowych). Jednak w typowych półprzewodnikach objętościowych o strukturze blendy cynkowej jon Fe2+ charakteryzuje się singletowym niezdegenerowanym stanem podstawowym, który nie może zostać wykorzystany do przechowywania informacji kwantowej. Nasze rachunki wskazują, że silne strukturalne naprężenie epitaksjalnej kropki kwantowej w jakościowy sposób modyfikuje charakter jonu Fe2+, w wyniku czego jego stan podstawowy staje się podwójnie zdegenerowany. Eksperymentalnie wykażę to na podstawie magneto-spektroskopowych pomiarów wyprodukowanego przez nas nowego systemu samozorganizowanych kropek kwantowych CdSe/ZnSe zawierających pojedyncze jony Fe2+ [1]. Zaprezentuję wyniki pomiarów siły i charakteru oddziaływania wymiennego s,p-d pomiędzy jonem Fe2+, a nośnikami uwięzionymi w kropce. Pokażę także optyczną orientację spinu jonu Fe2+ poprzez pobudzanie światłem spolaryzowanym kołowo.[1] T. Smoleński et al., arXiv:1505.06763 (2015).
2015-11-06 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
dr hab. Andrzej Witowski, prof. Roman Stępniewski, dr Gerard Martinez, prof. Wojciech Knap (IFD UW; High Magnetic Field Laboratory, Grenoble;University of Montpellier 2)Prof. Marian Grynberg - prekursor badań w zakresie THz
2015-10-30 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
Dr hab. Łukasz Cywiński (IF PAN)Kubit jako spektrometr lokalnego szumu w nanostrukturze
Abstrakt:Koherentnie kontrolowane układy dwupoziomowe (n.p. spiny 1/2 zlokalizowane w materiale półprzewodnikowym) mogą być w (prawdopodobnie odległej) przyszłości wykorzystane do budowy komputerow kwantowych. Istnieje jednak o wiele bardziej realistyczne zastosowanie uzyskanej dużym nakładem pracy możliwości inicjalizacji, kontroli, i odczytu pojedynczych kubitów. Oddziaływanie z otoczeniem powoduje dekoherencję kwantowych stanów kubitów, ale zamiast traktować to oddziaływanie jako przeszkodę na drodze do zbudowania komputera kwantowego, można wykorzystać jego istnienie do przeprowadzenia ciekawych badań podstawowych (mających też potencjalne zastosowania). Z pomiaru czasowej zależności zaniku koherencji kubitu można dowiedzieć się wiele o jego otoczeniu. Postaram się opisać, jak poprzez sekwencję odpowiednich operacji na kubicie można dokonać spektroskopii szumu środowiskowego, tzn. odtworzyć gęstość spektralną szumu lokalnie zaburzającego kubit. W przypadku, w którym mamy do dyspozycji dwa kubity (znajdujące się w pewnej odległości od siebie), można za to wykorzystać je do pomiaru korelacji pomiędzy dwoma szumami. Podam również przykłady doświadczalnych demonstracji takich technik charakteryzowania dynamiki otoczenia kubitu.
2015-10-23 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
mgr Maciej Pieczarka (Pol. Wrocławska, Wydz. Podstawowych Problemów Techniki, Inst.Fizyki, Katedra Fizyki Doświadczalnej)Wzbudzenia wielocząsteczkowe kondensatów polarytonów ekscytonowych
2015-10-16 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
Professor Luis Vina (Departamento de Fisica de Materiales, C-IV, Universidad Autonoma de Madrid)All-optical polariton-condensate devices
2015-10-09 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
Dr inż. Jakub Matusik (Katedra Mineralogii, Petrografii i Geochemii, Wydział Geologii, Geofizyki i Ochrony Środowiska AGH)Minerały warstwowe jako prekursory nanomateriałów o właściwościach fotomechanicznych
2015-10-02 (Piątek)
Zapraszamy do sali 0.06, ul. Pasteura 5 o godzinie 10:15
dr hab. Mariusz Zdrojek (Wydz. Fizyki Pol. W-wskiej, Z-d Badań strukturalnych)